＞第４世代にあたる最先端品は記憶素子を64層積む

良かったな　増産だ。６４層、、、HARCだろ？　
細い深い穴掘るのに時間かかるから装置増やすしかない

http://www.tel.co.jp/ir/policy/mplan/document/midium-term_plan_j_2016.pdf

p.４１〜

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http://www.nikkei.com/article/DGXLASDX15H0Q_W7A610C1FFE000/

2017/6/16 21:47

　【ソウル＝山田健一】
韓国サムスン電子はスマートフォン（スマホ）やサーバーの記憶媒体用に使うＮＡＮＤ型フラッシュメモリーのうち、
最先端の３次元半導体の生産比率を年内に５割以上にすると発表した。同社は最先端品の生産技術で競合他社を１年以上リードするとされる。
今回の計画発表は生産技術の差を世界に示す狙いがありそうだ。

　品薄感の強まるＮＡＮＤ型フラッシュメモリーに最新の生産技術を適用。記憶素子を立体的に積み性能を上げる３次元製品を生産しており、
第４世代にあたる最先端品は記憶素子を64層積む。

　近く韓国の平沢工場を新たに稼働させるのを機に第４世代を大幅増産する。現在の３次元品の生産比率は、第３世代の48層を含めて５〜６割とみられる。
サムスンはこれを第４世代だけで５割以上にする。

　東芝や韓国ＳＫハイニックスなど競合を引き離すことになる。

　同社によると、第４世代は第３世代に比べて速度が50％上がり、電圧が25％小さくて済む。小さなチップでより高性能なメモリーを作ることが可能になる。
第４世代品は韓国と中国で生産する。